Можливість короткого замикання IGBT
Витримка короткого замикання IGBT пов'язана з його проникністю або посиленням і тепловою потужністю чіпа IGBT. Більш високі прибутки призводять до більш високих струмів короткого замикання в IGBT, тому зрозуміло, що менші коефіцієнти посилення IGBT мають менші рівні короткого замикання. Проте, більш високі прибутки також призводять до зниження втрат на рівні держави, і необхідно зробити компроміси. Розвиток технології IGBT сприяє тенденції збільшення рівня струму короткого замикання, але зменшує витримку короткого замикання. Крім того, досягнення в області технологій призвели до менших розмірів чіпів, зменшення розмірів модулів, але знизили теплову потужність і зменшили терміни допуску.
Крім того, він має великі відносини з IGBT колектор-емітер напруги, так що паралельна тенденція промислового приводу прагне до більш високих рівнів напруги шини постійного струму додатково знижує витримку короткого замикання. У минулому цей часовий діапазон становив 10 мкс, але в останні роки тенденція спостерігалася в напрямку 5 мкс 3 і за певних умов до 1 мкс.
Крім того, витримуючий час короткого замикання різних пристроїв також зовсім інший, так що для схем захисту IGBT, як правило, рекомендується будувати більшу маржу, ніж номінальний витримуваний час короткого замикання.
Якщо ви хочете купити двигун вентилятора, зверніть увагу на вентилятор.
